A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN6068SE
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
D
b1
Q
C
SOT223
Dim Min Max Typ
A
1.55 1.65 1.60
E
E1
A1
b
0.010 0.15 0.05
0.60 0.80 0.70
Gauge
Plane
Seating
Plane
0.25
L
b1
C
D
E
E1
2.90 3.10 3.00
0.20 0.30 0.25
6.45 6.55 6.50
3.45 3.55 3.50
6.90 7.10 7.00
e1
e
b
-1
e
e1
L
Q
- - 4.60
- - 2.30
0.85 1.05 0.95
0.84 0.94 0.89
A
A1
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X1
Y1
Y2
DMN6068SE
Document Number DS32033 Rev. 4 - 2
X2
C2
C1
8 of 9
www.diodes.com
Dimensions
X1
X2
Y1
Y2
C1
C2
Value (in mm)
3.3
1.2
1.6
1.6
6.4
2.3
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
DMN62D0LFB-7B MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
DMN62D0SFD-7 MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN
DMN65D8LDW-7 MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363
DMN65D8LFB-7B MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3
DMN65D8LW-7 MOSFET N CH 60V 300MA SOT323
DMN66D0LDW-7 MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363
DMN66D0LT-7 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
DMP1022UFDE-7 MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E
相关代理商/技术参数
DMN62D0LFB 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN62D0LFB-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN62D0LFB-7B 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
DMN62D0SFD-7 功能描述:两极晶体管 - BJT MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DMN62D1SFB-7B 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN63D0LT-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN63D8LDW-13 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH DL 30V 220MA SOT363
DMN63D8LDW-7 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH DL 30V 220MA SOT363